Carbid Silicon Du SIC95

Manyleb Black Silicon Carbide SIC95

Priodweddau carbid silicon: sefydlogrwydd cemegol, dargludedd thermol uchel, cyfernod ehangu thermol isel, ymwrthedd gwisgo da, dargludedd thermol uchel, cryfder maes trydan cwymp uchel a dwysedd cyfredol uchaf uchel. Defnyddio carbid silicon: Mae gan garbid silicon bedwar prif faes cymhwyso, sef: cerameg swyddogaethol, deunyddiau anhydrin gradd uchel, sgraffinyddion a deunyddiau crai trin aur.

1, priodweddau mecanyddol: gall caledwch uchel (caledwch KR o 3000kg/mm2), dorri rhuddem; Gwrthwynebiad gwisgo uchel, yn ail yn unig i ddiamwnt.

2, perfformiad thermol: dargludedd thermol yn fwy na metel copr, yn 3 gwaith Si, yn 8 i 10 gwaith GaAs, perfformiad afradu gwres da, yn bwysig iawn ar gyfer dyfeisiau pŵer uchel. Mae sefydlogrwydd thermol SiC yn uchel, ac mae'n amhosibl toddi SiC o dan bwysau arferol.

3, priodweddau cemegol: ymwrthedd cyrydiad yn gryf iawn, ar dymheredd ystafell gall wrthsefyll bron unrhyw asiant cyrydol hysbys. Mae wyneb SiC yn hawdd ei ocsidio i ffurfio haen denau o SiO2, a all atal ei ocsidiad pellach. Pan fydd yn uwch na 1700 gradd, mae'r haen hon o ffilm ocsid yn toddi ac mae adwaith ocsideiddio yn digwydd yn gyflym.

4, perfformiad trydanol: 4H-SiC a 6H-Mae bwlch band SiC tua 3 gwaith yn fwy na Si, 2 waith yn fwy na GaAs; Mae cryfder y maes trydan dadelfennu un trefn maint yn uwch na Si, ac mae cyflymder drifft yr electron dirlawn 2.5 gwaith yn fwy na Si. 4H-Mae gan SiC fwlch band ehangach na 6H-SiC. Mae'r tabl canlynol yn cymharu nodweddion nifer o ddeunyddiau lled-ddargludyddion.

Black Silicon Carbide SIC95 FAQ